ZXMP10A18KTC
￥125
税込
メーカー：Diodes Incorporated品目：MOSFETトランジスタ
特徴
・PチャンネルMOSFET、100→450 V、Diodes Inc
仕様
・チャンネルタイプ：P
・最大連続ドレイン電流：5.9 A
・最大ドレイン-ソース間電圧：100V
・最大ドレイン-ソース間抵抗：190 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧：4V
・最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
・パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
・実装タイプ：表面実装
・ピン数：3
・チャンネルモード：エンハンスメント型
・カテゴリー：パワーMOSFET
・最大パワー消費：10.2W
・寸法：6.73×6.22×2.39mm
・RoHS適合状況：適合
特徴
・PチャンネルMOSFET、100→450 V、Diodes Inc
仕様
・チャンネルタイプ：P
・最大連続ドレイン電流：5.9 A
・最大ドレイン-ソース間電圧：100V
・最大ドレイン-ソース間抵抗：190 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧：4V
・最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
・パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
・実装タイプ：表面実装
・ピン数：3
・チャンネルモード：エンハンスメント型
・カテゴリー：パワーMOSFET
・最大パワー消費：10.2W
・寸法：6.73×6.22×2.39mm
・RoHS適合状況：適合